未来处理器性能爆炸:台积电5nm晶体管密度增长巨大

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台积电表示将会在2020年上半年正式量产5nm制程工艺,而下一代处理器也就是苹果A14、华为麒麟1020以及高通骁龙875处理器将会采用台积电的5nm制程工艺,那么5nm的性能究竟有多强,可以让这么多的厂商去投产和使用呢?现在有网站专门分析了台积电5nm制程工艺的参数和性能,结果发现和目前的7nm相比,台积电的5nm在性能上提升巨大。

未来处理器性能爆炸:台积电5nm晶体管密度增长巨大

根据著名的芯片网站WikiChips的分析,台积电5nm制程工艺的栅极间距为48nm,金属间距则是30nm,鳍片间距25-26nm,通过计算可以得出,台积电5nm制程工艺的晶体管密度可以达到每平方毫米1.713亿个,与之做对比的是,目前的7nm制程工艺每平方毫米的晶体管为9120个,因此5nm的晶体管密度将会是7nm的188%,台积电官方表示晶体管密度为84%,显然5nm能够拥有比7nm在同等芯片下塞入更多的晶体管。

未来处理器性能爆炸:台积电5nm晶体管密度增长巨大

和目前的7nm制程相比,台积电表示5nm制程工艺最大的进步便是功耗降低了30%,而性能提升了15%,除了5nm制程工艺外,台积电还展示了N5P工艺,和目前的5nm工艺相比性能提升7%,而功耗降低15%。在最新的AMD处理器的路线图中,AMD的Zen 4架构处理器将会采用5nm制程工艺,显然在性能上将会有比较理想的提升。